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O método de auxiliar o estresse interno sem energia adicional proposto neste artigo fornece uma nova estratégia econômica e conveniente para melhorar a dinâmica da reação da bateria.

O XRD pode medir amostras a granel e em pó e tem requisitos diferentes para diferentes tamanhos e propriedades de amostras.

Tomando a escala de deposição como exemplo, este artigo apresenta como usar o difratômetro de raios X para fase qualitativa e análise quantitativa.

A aplicação de novas tecnologias e novos produtos, como 5G, big data e inteligência artificial, trará uma enorme demanda ao mercado de semicondutores, e os gastos globais com equipamentos de semicondutores entraram em um ciclo ascendente.

XRD de alta resolução (HR-XRD) é um método comum para medir a composição e espessura de semicondutores compostos, como SiGe, AlGaAs, InGaAs, etc.

XRD é um meio de pesquisa que consiste na difração por difração de raios X de um material para analisar seu padrão de difração para obter informações como a composição do material, a estrutura ou forma dos átomos ou moléculas dentro do material.

A difração de raios X de incidência pastosa (GI-XRD) é um tipo de técnica de difração de raios X, que se diferencia do experimento XRD tradicional, principalmente por alterar o ângulo de incidência dos raios X e a orientação da amostra.

É necessário reduzir a tensão residual prejudicial e prever a tendência de distribuição e o valor da tensão residual. Neste artigo, é introduzido o método de teste não destrutivo de teste de tensão residual.

A difração de raios X (XRD) é atualmente um método poderoso para estudar a estrutura cristalina (como o tipo e distribuição de localização de átomos ou íons e seus grupos, formato e tamanho das células, etc.).

A cristalografia de raios X é uma técnica usada para determinar a estrutura atômica e molecular de um cristal, onde a estrutura cristalina faz com que o feixe de raios X incidente difrate em muitas direções específicas.