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O XRD pode medir amostras a granel e em pó e tem requisitos diferentes para diferentes tamanhos e propriedades de amostras.

O difratômetro global de raios X (XRD) tem se desenvolvido continuamente nos últimos anos e a China é um mercado com grandes perspectivas de desenvolvimento.

Tomando a escala de deposição como exemplo, este artigo apresenta como usar o difratômetro de raios X para fase qualitativa e análise quantitativa.

A aplicação de novas tecnologias e novos produtos, como 5G, big data e inteligência artificial, trará uma enorme demanda ao mercado de semicondutores, e os gastos globais com equipamentos de semicondutores entraram em um ciclo ascendente.

Nos últimos anos, tem havido um interesse crescente na medição de amostras biológicas de alta pressão. Isto se reflete no desenvolvimento de novas técnicas de medição de pressão diferentes daquelas implementadas pelo DAC. Uma delas é a técnica de congelamento de cristais sob pressão.

XRD de alta resolução (HR-XRD) é um método comum para medir a composição e espessura de semicondutores compostos, como SiGe, AlGaAs, InGaAs, etc.

O difratômetro de raios X (XRD) pode ser dividido em difratômetro de pó de raios X e difratômetro de cristal único de raios X, o princípio físico básico dos dois é o mesmo.

A fluorescência de raios X de reflexão total (TXRF) é uma técnica de análise de elementos de superfície comumente usada para analisar partículas, resíduos e impurezas em superfícies lisas.

XRD é um meio de pesquisa que consiste na difração por difração de raios X de um material para analisar seu padrão de difração para obter informações como a composição do material, a estrutura ou forma dos átomos ou moléculas dentro do material.

A difração de raios X de incidência pastosa (GI-XRD) é um tipo de técnica de difração de raios X, que se diferencia do experimento XRD tradicional, principalmente por alterar o ângulo de incidência dos raios X e a orientação da amostra.